LED光电器件能够提供最有效的光源,具备节能环保等优越性能。LED照明做为我国战略性的新兴产业,在未来十年将迎来爆发式增长。蓝光LED不仅要突破产业化的关键技术,也存在许多基础性的科学问题。例如:(1)为什么GaN的位错密度很高,但是其蓝光LED仍有很强的发光?(2)为什么GaN和ZnO等宽禁带半导体很难实现稳定的p-型掺杂?其物理根源是什么?(3)Mg重掺杂于GaN中,为什么只有1%的Mg能够电离(也就是说,只有很少的Mg杂质对GaN的p型电导有贡献)?如何提高Mg的活化效率,从而进一步提高LED的发光效率?(4)能否用纳米技术来替代目前稀土LED荧光粉?(5)对于紫外LED,不仅要解决要p-型掺杂问题,同时也要解决n-型掺杂问题,为什么?(6)对于高功率蓝光和紫外激光装置的半导体光泵源,需要面对哪些关键技术的巨大挑战?
中科院“百人计划”、“国家杰出青年基金”获得者、
国家863重点项目“高效氮化物LED材料及芯片关键
技术”首席科学家
浙江东晶电子(ECEC)研究院 院长