管丹丹 助理研究员
研究机构: 凝聚态物理研究所
研究领域: 表面物理
办公地点: 理科楼5号楼728室
办公电话: 86-21-54744616
电子邮箱: ddguan@sjtu.edu.cn
研究方向: 低维材料的制备与表征,拓扑绝缘体,同步辐射

简历:

2006年毕业于浙江大学物理学系,获理学学士学位。2011年于浙江大学物理系凝聚态物理专业获博士学位。2009-2012年在丹麦奥胡斯大学物理与天文系(同步辐射储存环中心ISA)联合培养及从事博士后工作。2012年受聘为上海交通大学物理与天文系特别副研究员。2014年入选上海市“浦江人才计划”。

主要研究内容为基于超高真空的薄膜和纳米结构的实验研究,主要利用角分辨光电子能谱研究低维材料的新颖量子现象,表面/界面的电子结构和性质等。近几年来,在拓扑绝缘体、石墨烯和半金属表面和界面的电子态研究方面取得了一系列的成果。在SCI收录的杂志上发表文章30余篇,单篇最高引用次数近300次。目前主持国家级科研课题2项。

主要著作:

1.    Coexistence of Topological Edge State and Superconductivity in Bismuth Ultrathin Film, Nano Lett., 17, 3035 (2017).

2.    Electronic structure of Ba (Zn0.875Mn0.125)2As2, Appl. Phys. Lett., 111, 062106 (2017).

3.    Majorana Zero Mode Detected with Spin Selective Andreev Reflection in the Vortex of a Topological Superconductor, Phy. Rev. Lett., 116, 257003 (2016).

4.    Epitaxial growth of two-dimensional staneneNature Materials, 14, 1020 (2015).

5.    Experimental detection of a majorana mode in the core of a magnetic vortex inside a topological insulator-superconductor Bi2Se3/NbSe2heterostructure, Phys. Rev. Lett., 114, 017001 (2015).

6.    Fully gapped s-wave-like superconducting state and electronic structure in Ir0.95Pd0.05Te2 single crystals with strong spin-orbital coupling, Phys. Rev. B, 89, 100501(R) (2014).

7.    Electron-phonon coupling in quasi-free-standing graphene, Journal of Physics Condensed Matter, 25, 094001 (2013).

8.    Surface states on a topologically nontrivial semimetal: The case of Sb(110), Phys. Rev. B 85, 155431(2012).

9.    Electron–phonon coupling in the two-dimensional electron gas on Bi2Se3, Phys. Status Solidi RRL, 1-3 (2012).

10.  Strongly enhanced electron-phonon coupling in the Rashba-split state of the Bi/Ag(111) surface alloy, Phys. Rev. B 83, 155451(2011).

11.  Large Tunable Rashba Spin Splitting of a Two-Dimensional Electron Gas in Bi2Se3, Phys. Rev. Lett., 107, 096802 (2011).

12.  Stability of the Bi2Se3(111) topological state: Electron-phonon and electron-defect scattering, Phys. Rev. B, 83, 241303(2011).

13.  Coexistence of the topological state and a two-dimensional electron gas on the surface of Bi2Se3, Nature Communications, 1, 128 (2010).

14. Interfacial electronic states of tetracene deposited on Si (111), The Journal of Chemical Physics 130, 174712 (2009).