目前已经发现许多电阻效应，例如巨磁电阻效应、超导体的零电阻效应等，它们都有许多潜在的重要应用，如何在特定材料或者结构中有效控制电阻一直是这类问题中的一个核心问题。我们最近的研究发现，通过操控激光，可以在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现大的电阻变化率和空间分辨率，而且电阻的变化呈现双极性变化的特点，这些特性对研制新型光电器件，包括超高密度存储器具有重要意义。