低温扫描隧道显微镜(STM)是在原子尺度研究材料电子结构的重要工具，一方面我们可以测量直接得到相关材料在费米面附近的电子态密度能谱，另一方面STM原子分辨的功能可以帮助我们研究在微观原子尺度杂质和应力对电子结构的调制作用。这个报告中我将讨论1T-TaS2材料中的局域应力破坏莫特绝缘态从而演化到金属态的连续过程，FeSe材料中不同杂质的能谱和杂质种类分析，ZrSiSe和ZrSiS两种拓扑材料中单原子杂质得到的准粒子激发图样来分析拓扑能带的方法和结果。这几种不同量子材料的例子展示了STM在广泛的材料电子结构研究中的重要作用。